用激光来划片切割硅片是目前*为先进的，它使用精度高、而且重复精度也高、工作稳定、速度快。

激光*大输出≧50W（可调）、激光波长为1.064µm、切割厚度≦1.2mm、光源是用Nd：YAG晶体组成激光器、是单氪灯连续泵浦、声光调Q、并用计算机控制二维工作台可预先设定的图形轨迹作各种**运动。

传统硅片切割方式是机械切割，速度慢、断面平整性差、碎片多、不环保。硅是一种脆性材料，机械切割极易使边缘产生破裂，造成硅表面弹性应变区、位错网络区和碎晶区的组成层损伤，甚至可能造成隐形裂纹，影响电性参数等危害。激光切割技术具有无接触、无机械应力、切缝宽度小、断面平整光滑、精度高、速度快、性能稳定等优势；不会损伤硅片结构，电性参数要优于传统的机械切割方式，可应用于大面积电池片进行划线切割，做到**控制切割精度及厚度，进一步减少切割碎屑，提高电池利用率。

激光切割硅片应用行业：

半导体集成电路，包括单双台面玻璃钝化二极管晶圆切割划片，单双台面可控硅晶圆切割划片，砷化镓，氮化镓，IC晶圆切割划片。